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  • Artigo de periodico

    Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET (2022)

    Alberton, S. G. ; Aguiar, Vitor ; Medina, Nilberto H. ; Added, Nemitala ; Macchione, E L A ; Menegasso, R. ; Cesário, G. J.; Santos, Hellen Cristine ; Scarduelli, V B ; Alcántara-Núñez, J. A.; Guazzelli, M. A.; Santos, R. B. B.; Flechas, D.

    Source: Microelectronics Reliability. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 09 maio 2024.

    • APA

      Alberton, S. G., Aguiar, V., Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784

    • NLM

      Alberton SG, Aguiar V, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784

    • Vancouver

      Alberton SG, Aguiar V, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784

  • Relatorio tecnico

    Simulation of the RIBRAS facility with GEANT4 (2022)

    Tamayose, Leonardo Eiji ; Flechas, D.; Zamora, J. C. ; Fortino, Guilherme Ferrari

    Unidade: IF

    Subjects: ESPECTROMETRIA, FEIXES ÓPTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TAMAYOSE, Leonardo Eiji et al. Simulation of the RIBRAS facility with GEANT4. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2202.07180.pdf. Acesso em: 09 maio 2024. , 2022

    • APA

      Tamayose, L. E., Flechas, D., Zamora, J. C., & Fortino, G. F. (2022). Simulation of the RIBRAS facility with GEANT4. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2202.07180.pdf

    • NLM

      Tamayose LE, Flechas D, Zamora JC, Fortino GF. Simulation of the RIBRAS facility with GEANT4 [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2202.07180.pdf

    • Vancouver

      Tamayose LE, Flechas D, Zamora JC, Fortino GF. Simulation of the RIBRAS facility with GEANT4 [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2202.07180.pdf
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